2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[21p-S223-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2016年3月21日(月) 13:30 〜 18:00 S223 (南2号館)

山口 憲司(原子力機構)、原 康祐(山梨大)

14:15 〜 14:30

[21p-S223-4] Na内包II型Geクラスレート膜の表面処理および物性評価

杉井 南斗1、萬條 宏行1、向井 哲也1、曾根 和詩1、大橋 史隆1、飯田 民夫2、久米 徹二1、ヒマンシュ シャカール ジャ1、野々村 修一1 (1.岐大工、2.岐阜高専)

キーワード:クラスレート、ゲルマニウム

これまでに我々はGe基板上や透明基板上におけるNaxGe136膜の合成について報告した。しかし、作製した膜の表面にはNaの化合物である不純物が存在しており、電子物性評価およびデバイス化のためには、表面不純物除去技術の確立が必要不可欠である。本研究では表面不純物除去を目的として様々な表面処理を行うとともに、物性評価を行った。