[21p-S223-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[21p-S223-5] 半導体ナノスケール構造欠陥中の光キャリア寿命と欠陥準位密度

〇福本 恵紀¹、恩田 健²、腰原 伸也² (1.高エネ研、2.東工大)

キーワード：半導体、ナノサイズ構造欠陥、超高速ダイナミクス

半導体デバイスの微細化に伴い，構造不均一性の影響や局所的なキャリア輸送特性の理解が重要となってきた．高時空間分解能(100 fsと100 nm)で半導体表面の光キャリアが観測できる時間分解光電子顕微鏡を開発し，半導体基板表面にランダムに存在する複数の100 nmスケールの構造欠陥から同時に光キャリア寿命を測定した．Shockley-Read-Hallモデルにより，欠陥中の欠陥密度を見積もった．