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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[21p-S223-1~17] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2016年3月21日(月) 13:30 〜 18:00 S223 (南2号館)

山口憲司(原子力機構)、原康祐(山梨大)

15:45 〜 16:00

[21p-S223-9] Si基板上の歪みGe薄膜のラマン評価

〇(B)酒井駿也¹、山村和也¹、西垣宏¹、蓮池紀幸¹、播磨弘¹、Woo Sik Yoo² (1.京工繊大、2.WaferMasters Inc.)

キーワード：ゲルマニウム、歪み、ラマン分光法

　　　