[21p-S323-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

[21p-S323-5] 低温下での通電によるナノギャップ系単電子トランジスタの作製と特性制御

〇伊藤 智之¹、伊藤 光樹¹、滝川 主喜¹、岡田 憲昂¹、井上 和貴¹、白樫 淳一¹ (1.東京農工大院工)

キーワード：単電子トランジスタ、ナノギャップ、エレクトロマイグレーション