[21p-S611-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [21p-S611-7] 歪SiGeを用いたMOS型光変調器の変調帯域改善に関する検討

〇(D)韓 在勲^1,2,3、竹中 充^1,2、高木 信一^1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST、3.学振特別研究員)

キーワード：シリコンフォトニクス、歪SiGe、MOS型光変調器

Si MOS型変調器は、pn接合型光変調器などより高い変調効率が報告されている。また、VLSIなどで用いされている等価的酸化膜厚(Equivalent oxide thickness; EOT)のスケーリングにより、更なる性能改善が見込める。しかし、その大きい容量で変調帯域幅の劣化が懸念される。我々は、歪SiGeの正孔の有効質量低減効果を利用し、MOS型光変調器の変調帯域幅の改善を予想し調べた。