[21p-S611-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

[21p-S611-8] in-situ Bドーピングした歪SiGe層を用いたSi光変調器の検討

〇藤方 潤一¹、野口 将高¹、韓 在勲²、高橋 重樹¹、中村 隆宏¹、竹中 充² (1.PETRA、2.東大工)

キーワード：シリコン光変調器、歪シリコンゲルマニウム

Bをin-situドーピングした歪SiGe層を用いた空乏化型Si光変調器の検討を行った．超高真空CVD法により歪SiGe層をin-situドーピングして選択成長することにより，1 dB/mmの低光損失化を実現した．この時、変調効率(VπL）として1.05 Vcmが得られ、Si光変調器の性能指標(αVπL)として10 dBV程度を実現した．また、1.5Vppでの低電圧駆動により，25Gbps高速動作も同時に実証した．