[21p-S622-1~20] 3.6 超高速・高強度レーザー

[21p-S622-7] GaN半導体を用いたペタヘルツ光学動作

〇増子 拓紀¹、小栗 克弥¹、山口 量彦²、須田 亮²、後藤 秀樹¹ (1.NTT物性基礎研、2.東京理科大)

キーワード：アト秒科学、高強度物理、超高速物理

現在の情報社会を支える電子・光応答デバイスの信号処理速度は、半導体中における物理応答特性に寄与し、その動作周波数は数THzに達する[1]。更なるPHz級の超高周波応答を実現するためには、現在のラジオ周波数帯のマイクロ波動作から、光周波数帯の光学動作へと移行することが得策である。しかしながら、PHz級の応答特性を計測するためには、アト秒（10^-18 秒：as）レベルの時間分解能が求められる。我々は、単一アト秒パルスを用いた計測により、窒化ガリウム（GaN）半導体においてPHz周波数を伴う光学動作現象を観測したので報告する。