2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[21p-W351-1~16] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

2016年3月21日(月) 13:45 〜 18:00 W351 (西2・3号館)

福田 武司(埼玉大)、馬場 暁(新潟大)

17:30 〜 17:45

[21p-W351-15] ポリフェニレンビニレン誘導体へのp型およびn型ドーピング

〇(M2)崎山 晋1、小村 拓也1、水谷 直貴2、藤田 克也1,2 (1.九大総理工、2.九大先導研)

キーワード:有機半導体ドーピング、プリンテッドエレクトロニクス、有機エレクトロニクス

高分子半導体を製膜する手法で一般的なスピンコート法では、ドーパントが凝集してしまい、高ドーピング効率(=増加したキャリア数/導入したドーパント数)は実現できず、その値は1%程度にとどまっている。そこで我々は、本研究室独自の手法であるESDUS法を用いることで、高分子半導体への20%もの高効率pnドーピングが可能であることを見出した。
講演ではドーピングを施したポリフェニレンビニレン誘導体の電流ー電圧特性、フェルミレベルの変化について報告する。