2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[21p-W521-1~18] 12.4 有機EL・トランジスタ

2016年3月21日(月) 13:45 〜 18:45 W521 (西5号館)

三津井 親彦(東大)、伊東 栄次(信州大)、野田 啓(慶大)

17:30 〜 17:45

[21p-W521-14] 可溶性DNTT 誘導体を用いた塗布製膜トランジスタの高性能化

澤本 尚典1,2、杉野 寛佳1、尾坂 格1、瀧宮 和男1 (1.理研 CEMS、2.埼玉大院理工)

キーワード:有機トランジスタ、溶液プロセス、DNTT

蒸着薄膜で高いトランジスタ特性と優れた安定性を示すDNTTに、分岐アルキル基を1つ導入した誘導体はスピンコート成膜が可能であり、その薄膜を用いたトランジスタが0.3~0.6 cm2/Vs程度の移動度を示すことを最近我々は報告している。本研究では、溶解性とトランジスタ特性の両方が良好であった4-ethyloctyl (EO)基をDNTTの2位に導入した2-EO-DNTTを用いて高性能化(高移動度化、低電圧駆動化)の検討を行った。