2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[21p-W521-1~18] 12.4 有機EL・トランジスタ

2016年3月21日(月) 13:45 〜 18:45 W521 (西5号館)

三津井 親彦(東大)、伊東 栄次(信州大)、野田 啓(慶大)

18:00 〜 18:15

[21p-W521-16] 高移動度有機無機ペロブスカイトトランジスタ

松島 敏則1,2、Sunbin Hwang1、Atula S. D. Sandanayaka1,2、Chuanjiang Qin1,2、藤原 隆3、安達 千波矢1,2 (1.九大OPERA、2.JST ERATO、3.ISIT)

キーワード:有機無機ペロブスカイト、電界効果トランジスタ、表面処理

本研究では、NH3I-SAMで表面修飾した基板にスピンコートするとペロブスカイト薄膜の膜質とトランジスタ特性が向上することが分かった。基板表面のNH3I末端基はペロブスカイト構造の一部として振る舞うために膜質が向上したのであろう。これまでで最も高い電界効果ホール移動度(最大で12 cm2 V-1 s-1、平均で7.7 cm2 V-1 s-1)が得られた。