[21p-W541-1~12] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [21p-W541-1] Correlation between Off-Breakdown and EL Emission in AlGaN/GaN HEMTs

〇(M1)Satoshi Yoshida¹, Shintaro Ohi¹, Taisei Yamazaki¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Masaaki Kuzuhara¹ (1.University of Fukui)

Keywords:AlGaN/GaN HEMT,EL Emission,Off-Breakdown Voltage

AlGaN/GaN HEMT は低損失パワースイッチングデバイスとして期待されている。オフ状態のHEMTに高ドレイン電圧を印加すると、ゲート・ドレイン電極間でのEL発光が報告されている。我々は前回、発光色と電流コラプスとの相関について報告した。今回、ドレイン電極の形状を周期的に変化させたHEMTを試作し、オフ耐圧とEL発光との相関について調べたので報告する。