[21p-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-W541-11] 高誘電率絶縁膜を用いたFP電極を有する縦型GaNダイオード

〇吉野 理貴¹、堀切 文正²、太田 博¹、山本 康博¹、三島 友義¹、中村 徹¹ (1.法政大、2.サイオクス)

キーワード：GaN、high-k、ダイオード