[21p-W641-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[21p-W641-12] 巨大c/a 相Ga 置換BiFeO₃ 薄膜の作製と配向制御

〇清水 啓佑¹、北條 元¹、東 正樹¹ (1.東工大応セラ研)

キーワード：圧電体、BiFeO3、パルスレーザー堆積法

我々は、巨大なc/a比を有する001配向のCo置換BiFeO₃薄膜を作製し、単斜晶相は分極回転の効果により優れた圧電応答を示すことを報告してきた。異なる方位から電場を印加した場合も分極回転が期待できることから、異なる配向の基板上に薄膜を作製することが望まれる。Ga置換BiFeO₃薄膜試料は、001以外の配向においても巨大c/a相を安定化できることが期待できるため、本研究では、様々な配向のLaAlO₃基板上にBFGO薄膜を作製し、配向の制御を試みた。