[21p-W641-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [21p-W641-15] Analysis of Contribution of Ferroelectric Domain Structure on Direct Piezoelectric Response

〇Kento Kariya¹, Masaaki Aramaki¹, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:piezoelectric,ferroelectric,BiFeO3

強誘電体薄膜の正圧電応答は逆圧電応答と比較して報告例が少なく、その発現機構についても十分に理解されていない。我々はBiFeO₃薄膜を用いて、マクロ領域からの正圧電応答と微小領域の逆圧電応答の比較から、71°ドメイン壁が正圧電応答に大きく寄与すること提案してきた。本研究では正圧電効果を用いた新規な圧電応答顕微鏡法を開発し、従来の逆圧電効果による観察と組み合わせることで、ドメイン構造と正圧電応答の関係を解析する。