[21p-W641-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

[21p-W641-19] Fabrication of BiFeO₃ Thick Films for Vibration Energy Harvesting application

〇Masaaki Aramaki¹, Kento Kariya¹, Takeshi Yoshimura¹, Shuichi Murakami², Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Prefecture Univ., 2.TRI-Osaka)

Keywords:BiFeO3,Piezoelectric vibration energy harvester

BiFeO3を用いた圧電振動発電素子において、100μWの発電量を目指し、rfマグネトロンスパッタリング法を用いて膜厚の異なる薄膜を作製し、その圧電特性を調べた。膜厚が450nmの試料ではe_31,f定数が大幅に低下しており、各電極との界面近傍に圧電特性の低い層が存在していることが示唆される。1750nmの膜の電気機械結合係数(k₃₁)²は約5%と見積もられ、高効率の圧電MEMS振動発電素子の作製に必要な特性が得られていることがわかった。