[21p-W641-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

[21p-W641-2] Fabrication and characterization of (Ba,La)SnO₃ films on (111)SrTiO₃ substrate

〇Kohei Miura¹, Hirotaka Yamashita¹, Tomoya Komae¹, Takeshi Yoshimura¹, Atsushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Prefecture Univ.)

Keywords:semiconductor,thin films,electrode

BaSnO₃は3.1 eVの大きなバンドギャップと比較的小さな電子有効質量(0.20m0)を特徴とする高移動度を示す透明酸化物半導体や導電膜の候補物質として注目されている。本研究は、パルスレーザー堆積法を用いて、 (111)SrTiO₃基板上へのBaSnO₃の製膜を行い、その電気輸送特性の評価を行った。基板温度750 ^oC、酸素分圧100 mTorrで作製した試料において、移動度μ = 53.9 cm²V^-1s^-1を得ることに成功した。