[21p-W641-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [21p-W641-3] Fabrication of {110} one-axis oriented perovskite-type oxide thin films and their crystal structure analysis

〇(B)Tomoya Sato¹, Junichi Kimura², Daichi Ichinose², Takanori Mimura², Hiroshi Funakubo², Kiyoshi Uchiyama¹ (1.NIT, Tsuruoka College, 2.Tokyo Tech)

Keywords:perovskite,oriented films,epitaxial growth

ペロブスカイト型酸化物であるBa(Ce,Y)O3をスパッタ法により(111)Pt/Si基板上に作製することで、{110}面に一軸配向した薄膜が得られた。そのため、(111)Pt/Si基板上に{110}配向のペロブスカイトを作製するためのバッファー層としての応用が期待される。単結晶(111)Pt/(111)SrTiO3基板上に作製したBa(Ce,Y)O3薄膜では、(110)および(111)面にエピタキシャル成長し、中でも(110)配向がドミナントであることが示唆された。さらにBa(Ce,Y)O3の(110)面は、面内方向に約10.5°の傾きをもって配向することを明らかにした。