[21p-W641-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

[21p-W641-6] Fabrication of Ba_1-xCa_xTiO₃/ZnO hetero-structure and analysis of the band alignment

〇Atsushi Nochida¹, Hiroaki Yamada¹, Tomoya Komae¹, Takeshi Yoshimura¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:ferroelectric/semiconductor hetero-junction,X-ray photoelectron spectroscopy,ZnO

我々は強誘電体／極性半導体ヘテロ界面における分極間相互作用に着目して研究を行っている。本研究では界面欠陥低減に向け強誘電体Ba_1-xCa_xTiO₃ (BCT)と極性半導体ZnOを用いて、(111)[110]BCT||(0001)[100]ZnOのエピタキシャル関係で格子整合成長を期待し、ヘテロ界面の作製を行った。今回は極性の異なるZnO上へのBCT薄膜の作製と、それらのヘテロ構造のバンド配置の解析を行った。