[22a-H116-1~6] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[22a-H116-5] III族元素をドープした高抵抗ZnTe結晶の深い準位からの発光

〇瀬戸 悟¹、鈴木 和彦² (1.石川高専、2.北海道科学大)

キーワード：半導体、フォトルミネッセンス、深い準位

ZnTeのn型ドーパントとしてはIII族元素であるInやGaがその候補として挙げられるが、これらの元素をドープするといわゆる自己補償効果により結晶は高抵抗になる。本研究ではZnTeでは何故ドーピングによってn型低抵抗結晶を得ることが困難であるかを調べるために、0.78eVの赤外領域までカバーする幅広いエネルギー域のフォトルミネッセンス（PL）測定を行い、CdTeの結果と比較した。