[22a-H116-1~6] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

△ [22a-H116-6] 大気中レーザーアブレーションで作製したSbドープZnOマイクロスフィアの特性評価

〇永嵜 史明¹、下垣 哲也¹、池渕 達也¹、植山 健史¹、田中 稔伸¹、藤原 優輝¹、東畠 三洋¹、中村 大輔¹、岡田 龍雄¹ (1.九大シス情)

キーワード：酸化亜鉛、アンチモン、マイクロスフィア

酸化亜鉛（ZnO）は高効率な紫外発光材料として注目されているⅡ-Ⅵ族化合物半導体である。最近、我々はレーザーを用いたマイクロサイズのZnOスフィアの作製に成功している。一方、ZnOを用いた発光素子応用の上で強く期待されているのがp型ZnOの実現である。そこで、本研究ではp型不純物の一つとして注目されているSbをドープしたSbドープZnOマイクロスフィアの作製し、構造および光・電気特性について報告する。