[22a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-H121-10] MOVPE法による窒素極性(000-1)面InN/GaNダブルヘテロ構造の作製

〇赤坂 哲也¹、林 家弘¹、山本 秀樹¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性基礎研)

キーワード：窒化インジウム、窒素極性、有機金属気相エピタキシ

窒素極性InN(000-1)薄膜のMOVPE成長初期過程を、III族極性InN(0001)薄膜と比較しながら詳細に検討した。さらに、窒素極性(000-1)面InN/GaN double hetero (DH) 構造を作製し、InNのバンド端近傍のフォトルミネッセンスを観測したことも報告する。