The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[22a-P4-1~27] 6.3 Oxide electronics

Tue. Mar 22, 2016 9:30 AM - 11:30 AM P4 (Gymnasium)

9:30 AM - 11:30 AM

[22a-P4-1] Fabrication and Characterization of Transparent Self-Switching Nano-Diodes using ZnO

Yi Sun1, Kohei Ashida1, Sohei Matsuda1, Masatoshi Koyama1, Toshihiko Maemoto1, Shigehiko Sasa1, Seiya Kasai2 (1.Osaka Inst. of Tech. NMRC, 2.Hokkaido Univ. RCIQE)

Keywords:nano-diode,ZnO,transparent

酸化亜鉛(ZnO)はp形薄膜を作製することが極めて難しく,pn接合による整流素子の作製が困難である.そこで我々は新しい構造を用いた整流素子であるセルフスイッチングナノダイオード(Self-switching nano-diode; SSD)に注目した.今までに我々は金属電極を用いたZnO-SSDを実現した.今回,我々は低抵抗材料であるAlドープZnO(AZO)を電極に用い,170℃以下の低温プロセスにより,ほぼ透明なZnO-SSDをガラス基板上に作製したので,その電気特性について報告する.