[22a-P4-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[22a-P4-14] 導電性ITO層上に成長したM2相VO₂薄膜のIMT特性及び自励発振特性

〇モハメッド ミヤ シュルズ¹、佐藤 賢太¹、按田 祐輔¹、椎名 庸介¹、沖村 邦雄¹、坂井 穣² (1.東海大院理工、2.トゥール大　GREMAN)

キーワード：二酸化バナジウム (VO2)、M2相, 絶縁体‐金属相転移(IMT)、自励発振

本研究では、ICP支援スパッタ法を用いて導電性を有するITO膜上にM2相VO₂薄膜を成長させ，IMT特性及び面直方向への電圧印加スイッチング，自励発振現象を得た。IMTでは60～130°Cの広い温度範囲で2桁の抵抗変化が観測された。温度変化XRD測定の結果，M2相から高温正方晶(R)相への結晶変態は70°C 付近で観測され、M2相薄膜ではIMT挙動が結晶変態と同期せずに生じていることがわかった。また、発振測定では数百kHZ周波数の発振が得られた。