[22a-P4-1~27] 6.3 Oxide electronics

[22a-P4-19] Formation of NiO particles on n-GaN using metal-organic-decomposition (MOD) method

〇(M1)Hirofumi Kida¹, Keisuke Ito¹, Yusuke Kumazaki¹, Taketomo Sato¹ (1.RCIQE)

Keywords:photocatalysis,NiO,GaN

窒化ガリウム(GaN)は広い禁制帯幅を持ち、光触媒材料として魅力的な特徴を有するが、陽極として用いると電極自体が腐食してしまう問題がある。これを回避する有望な手法として、助触媒である酸化ニッケル(NiO)を担持する取り組みがなされている。本研究では、金属有機化合物分解法(MOD法)を用いたGaN表面へのNiO微粒子の形成に取り組んだ。