[22a-P4-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[22a-P4-22] ITO陽極からの正孔注入特性改善のためのITOバッファーの検討

〇星 陽一¹、濱口 大地¹、小林 信一¹、澤田 豊¹、内田 孝幸¹ (1.東京工芸大学)

キーワード：有機EL、正孔注入特性、ITOバッファー層

ITO陽極から正孔を有機層（NPB）に注入するために使われているMoO3バッファーに代わる材料として高酸化ITOバッファー層を検討した。その結果、厚さ0.6nm程度のITOバッファー層を挿入することで正孔の注入特性は著しく改善され、バッファー層材料として有望であることが分かった。ITO陽極の上にMoO3バッファーやITOバッファーを形成すると、仕事関数は約4.4eVから5.4eV前後まで顕著に増加するが、バッファー層厚による顕著な違いは認められなかった。