[22a-P6-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-P6-13] イオン注入技術を用いたプレーナ型GaN-LEDの作製

〇(M1C)上月 誠也¹、土山 和晃¹、山根 啓輔¹、関口 寛人¹、岡田 浩^2,1、若原 昭浩^1,2 (1.豊技大工、2.EIIRIS)

キーワード：光デバイス、イオン注入