[22a-P6-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22a-P6-19] RF-MBE Growth of Nitride Semiconductor on Si Substrate

〇Shyun Koshiba¹, Ryo Takeguchi¹, Hiroki Heijyo¹, Kenya Ishihara¹, Fumiyasu Kubo¹, Hiroko Fujita¹, Kazuhiro Morishita¹, Yasuhiro Tanaka¹, Naoshi Takahashi¹, Noriaki Tsurumachi¹, Changsu Kim², Masahiro Yoshita², Hidefumi Akiyama² (1.Kagawa Univ., 2.ISSP)

Keywords:Nitride Semiconductor,MBE,Si substrate

Si（001）基板上にRF－MBE法で窒化物半導体GaNを成長した。Si基板との界面および近傍の窒化物半導体成長層について走査・透過電子顕微鏡を用いた構造観察、反射スペクトル測定、フォトルミネッセンス測定、等を用いた光学的特性評価、等をおこなった。TEM写真により20nmくらいの太さの柱状結晶GaNが密に成長したZB型とWZ型の結晶が混在する多結晶膜が形成されていることが明らかとなった。 また室温蛍光分光光度計による蛍光発光測定の結果、3-3.5eV付近に発光が観測された。