[22a-P6-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-P6-19] RF-MBEを用いたSi基板上への窒化物半導体の成長

〇小柴 俊¹、竹口 諒¹、平城 大輝¹、石原 健也¹、久保 文寿¹、藤田 寛子¹、森下 和博¹、田中 康弘¹、高橋 尚志¹、鶴町 徳昭¹、金 昌秀²、吉田 正裕²、秋山 英文² (1.香川大、2.東大物性研)

キーワード：窒化物半導体、分子線エピタキシー、シリコン基板

Si（001）基板上にRF－MBE法で窒化物半導体GaNを成長した。Si基板との界面および近傍の窒化物半導体成長層について走査・透過電子顕微鏡を用いた構造観察、反射スペクトル測定、フォトルミネッセンス測定、等を用いた光学的特性評価、等をおこなった。TEM写真により20nmくらいの太さの柱状結晶GaNが密に成長したZB型とWZ型の結晶が混在する多結晶膜が形成されていることが明らかとなった。 また室温蛍光分光光度計による蛍光発光測定の結果、3-3.5eV付近に発光が観測された。