[22a-P6-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-P6-9] NH₃分解触媒援用MOVPE成長In_xGa_1-xN(x~0.35)のMgドーピング挙動

〇山本 高勇^1,2、児玉 和樹^1,2、重川 直輝³、松岡 隆志⁴、葛原 正明¹ (1.福井大、2.JST-CREST、3.大阪市大、4.東北大)

キーワード：窒化物半導体、InGaN、Mgドーピング

NH₃分解触媒援用MOVPE法で成長させたIn_xGa_1-xN (x~0.35)のMgドーピング挙動について検討した。原料であるCp2Mg流量の増大とともにIn_xGa_1-xNのIn組成xが顕著に低下することから、MgがInが取り込まれるべきサイトに優先的に取り込まれていることがわかった。最高の正孔濃度として1x10¹⁹ cm^-3が得られた。