[22a-S011-1~16] 17.2 グラフェン

[22a-S011-11] ゲート制御型端選択的光酸化によるグラフェンナノリボン形成

松本 守広¹、〇野内 亮¹ (1.阪府大21機構)

キーワード：グラフェンナノリボン、光酸化、電界効果表面化学

グラフェンは大気中の紫外光照射で容易に酸化するが、我々は電界効果トランジスタ構造を用いるとグラフェン光酸化の発現が制御できることを示した（Appl. Phys. Lett. 103 (2013) 201605）。このトランジスタ制御型光酸化は、端選択的に起こり徐々にチャネル内部へ進行する。酸化グラフェンは絶縁体のため、本現象によりグラフェンの狭細化が可能となる。本講演では、本現象を利用したナノリボン化に伴う半導体化について報告する。