[22a-S222-1~8] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [22a-S222-7] 超ワイドギャップアモルファス半導体a-Ga₂O_xの実現とGa-Zn-O系のバンドアライメント

〇金 正煥¹、関谷 拓実¹、井手 啓介¹、平松 秀典¹、細野 秀雄¹、神谷 利夫¹ (1.東工大応セラ研)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、酸化ガリウム、ワイドバンドギャップ

アモルファス酸化物半導体a-In-Ga-Zn-OでTFTが実現されるまで、移動度の高いアモルファス半導体をつくること、ましてや実用デバイスがつくれるとは考えられてこなかった。さらに、バンドギャップが大きくなるほど半導体の作製は難しくなる。実際に、結晶b-Ga₂O₃はもっとも大きなバンドギャップ~4.9 eVを持つ酸化物半導体であるが、これまでアモルファス膜で半導体化されたことはなかった。本研究で我々は、室温で高移動度のa-Ga₂O_x膜の作製に成功し、その必要条件を明らかにしたので報告する。