[22a-S421-1~11] 17.3 層状物質

[22a-S421-1] 【講演奨励賞受賞記念講演】 WSe₂表面酸化層のp型コンタクト・ドーパント応用

〇山本 真人¹、中払 周¹、上野 啓司²、塚越 一仁¹ (1.物材機構、2.埼玉大院理工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、遷移金属酸化物、電界効果トランジスタ

MO_xやWO_xなどの遷移金属酸化物は、非常に大きな仕事関数および電子親和力を持つことから、二次元半導体デバイスにおける効果的なホール注入層およびドーパントとして注目を集めている。本講演では、数原子層のWSe₂表面をオゾン酸化して得られるわずか数nmのWO_xが、低障壁p型コンタクトおよび環境制御可能なp型ドーパントとして利用できることを報告する。