[22a-S421-1~11] 17.3 Layered materials

[22a-S421-5] Dependence of h-BN multi-layers synthesis on catalyst films with chemical vapor deposition

〇Daiyu Kondo^1,2, Kenjiro Hayashi^1,2, Masako Kataoka^1,2, Taisuke Iwai^1,2, Shintaro Sato^1,2 (1.Fujitsu Labs., 2.Fujitsu)

Keywords:h-BN,2D materials

我々は次世代チャネル材料としてシリコンを凌駕する移動度を示すグラフェンの高いポテンシャルに着目し、グラフェン・グラフェンナノリボン合成及びチャネル作製プロセス開発を行ってきた。これまでグラフェンの電気特性向上に向け、その下地として好適な数nm厚のh-BN膜がエピタキシャル金属触媒を用いて合成可能であることを示してきた。今回、異なる条件の触媒薄膜を用いてh-BN膜合成条件の最適化を行ったので詳細を報告する。