[22a-S421-1~11] 17.3 層状物質

[22a-S421-5] CVD法により合成したh-BN多層膜の触媒依存性

〇近藤 大雄^1,2、林 賢二郎^1,2、片岡 真紗子^1,2、岩井 大介^1,2、佐藤 信太郎^1,2 (1.富士通研、2.富士通)

キーワード：h-BN、2次元材料

我々は次世代チャネル材料としてシリコンを凌駕する移動度を示すグラフェンの高いポテンシャルに着目し、グラフェン・グラフェンナノリボン合成及びチャネル作製プロセス開発を行ってきた。これまでグラフェンの電気特性向上に向け、その下地として好適な数nm厚のh-BN膜がエピタキシャル金属触媒を用いて合成可能であることを示してきた。今回、異なる条件の触媒薄膜を用いてh-BN膜合成条件の最適化を行ったので詳細を報告する。