2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[22a-S421-1~11] 17.3 層状物質

2016年3月22日(火) 09:00 〜 12:00 S421 (南4号館)

宮田 耕充(首都大)

10:45 〜 11:00

[22a-S421-7] 単層単結晶 WS2の広域集積化合成

高橋 智之1、加藤 俊顕1、金子 俊郎1 (1.東北大院工)

キーワード:遷移金属ダイカルコゲナイド、二硫化タングステン、構造制御合成

近年,原子オーダーの厚みでありながら明確なバンドギャップを有する半導体として振る舞う遷移金属ダイカルコゲナイド (TMD)が盛んに研究されている.筆者らは,単層単結晶二硫化タングステン (WS2) の構造制御合成を目的に研究を行い,Auドットを核形成誘発点として用いる新たな合成手法の開発し,結晶サイズが均一な単層単結晶WS2の広域集積化合成に世界で初めて成功したので報告する.