[22a-S421-1~11] 17.3 Layered materials

[22a-S421-8] MBE growth of MoSe₂/WSe₂ heterostructures on GaAs substrates

〇Koji Onomitsu¹, Kazuhide Kumakura¹, Hideki Yamamoto¹ (1.NTT Basic Research Laboratories)

Keywords:layered materials,MBE

我々はこれまで、GaAs(111)B基板上に、原子層ステップが確認できる平坦なGaAsバッファー層を成長し、その表面をSe終端した後、ウエハスケールで層数制御したMoSe₂薄膜を成長したことを報告してきた。今回、同様の手法によりWSe₂および、MoSe₂/WSe₂ヘテロ接合を作製したので報告する。