[22a-S421-1~11] 17.3 層状物質

[22a-S421-8] GaAs基板上へのMoSe₂/WSe₂ヘテロ構造のMBE成長

〇小野満 恒二¹、熊倉 一英¹、山本 秀樹¹ (1.NTT物性科学基礎研究所)

キーワード：層状物質、分子線エピタキシ

我々はこれまで、GaAs(111)B基板上に、原子層ステップが確認できる平坦なGaAsバッファー層を成長し、その表面をSe終端した後、ウエハスケールで層数制御したMoSe₂薄膜を成長したことを報告してきた。今回、同様の手法によりWSe₂および、MoSe₂/WSe₂ヘテロ接合を作製したので報告する。