[22a-W241-1~11] CS.6 10.1, 10.2, 10.3のコードシェアセッション「新規スピン操作方法および関連現象」

[22a-W241-9] SrTiO₃ バックゲートを用いたCo極薄膜の電界効果：面方位依存性

〇中澤 新悟¹、大日方 絢²、千葉 大地²、上野 和紀¹ (1.東大院総合、2.東大院工)

キーワード：電界効果、Co極薄膜、チタン酸ストロンチウム

強磁性体金属の磁化反転の手法として電界効果が注目され、TMR素子の絶縁層や電解液など様々なゲートを用いた研究が報告されている。前回、我々は低温で非常に高い誘電率を持つSrTiO₃ (100)単結晶を基板としてCo 極薄膜を作成し、基板の裏側からゲート電圧を印加することで保磁力H_cを制御したことを報告した。しかし、SrTiO₃ (100)面上のCo極薄膜は室温で面内容易軸であり、190 K 以下の低温でのみ垂直容易軸になる。今回、様々な面方位を持つ SrTiO₃ 基板に Co 極薄膜を作成し、(111) 面でバックゲート電界による保磁力制御を試みたので報告する。