[22a-W321-1~16] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[22a-W321-10] Defect distribution in PADS a-Si:H and its application for solar cells

〇Yasushi Sobajima^1,2, Yusuke Nishio¹, Eiji Kagoshima¹, Haruka Kubota¹, Akihisa Matsuda¹, Hiroaki Okamoto^1,2 (1.Osaka Univ., 2.JST-CREST)

Keywords:amorphous semiconductors,PECVD method,photo-induced degradation

PADS法を用いた高光安定アモルファスシリコンの太陽電池応用には高温製膜による太陽電池内各層への影響や界面制御技術の確立が必要である。今回、高温製膜アモルファスシリコンの膜内欠陥分布を計測し、欠陥の所在と実デバイスでの制御法について発表を行う。