[22a-W321-1~16] 16.3 シリコン系太陽電池

[22a-W321-10] 高温製膜アモルファスシリコンにおける欠陥密度分布と太陽電池応用

〇傍島 靖^1,2、西尾 侑典¹、籠島 瑛二¹、久保田 晴香¹、松田 彰久¹、岡本 博明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.JST-CREST)

キーワード：アモルファス半導体、PECVD法、光劣化

PADS法を用いた高光安定アモルファスシリコンの太陽電池応用には高温製膜による太陽電池内各層への影響や界面制御技術の確立が必要である。今回、高温製膜アモルファスシリコンの膜内欠陥分布を計測し、欠陥の所在と実デバイスでの制御法について発表を行う。