The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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Oral presentation

16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[22a-W331-1~12] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

Tue. Mar 22, 2016 9:00 AM - 12:15 PM W331 (W2・W3)

Nobuaki Terakado(Tohoku Univ.), Tsuyoshi Honma(Nagaoka Univ. of Tech.)

11:30 AM - 11:45 AM

[22a-W331-10] Control of carrier concentration in SnS films

Tamihiro Gotoh1 (1.Gunma Univ.)

Keywords:Sulfide semiconductor,Carrier concentration

太陽電池の低コスト・省資源化が可能な、新たな光吸収材料としてSnS(硫化すず)が期待されている。本研究では、構成元素であるS、もしくはSnとともに熱処理し、SnS薄膜のキャリア濃度の制御を試みる。