[22a-W521-1~12] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[22a-W521-9] Fabrication of bottom-contact type pentacene-based OFET utilizing AuGe source/drain electrodes

〇Mizuha Hiroki¹, Yasutaka Maeda¹, Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:pentacene,AuGe

本研究では、OFETの微細化および集積化を目的として、ボトムコンタクト型OFETの作製プロセスに関する検討を行っている。一般に、p型ペンタセンOFETのソース/ドレイン電極としてはAuが用いられるが、リフトオフによるパターニングにおいてSiO₂との密着性に課題がある。そこで今回は、SiO₂上での密着性に優れたAuGeをソース/ドレイン電極として用いたボトムコンタクト型OFETの作製に関する検討を行った。