[22a-W541-1~10] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[22a-W541-10] Metal/GaN photocatalytic films with both oxidation and reduction reaction sites

〇Yuya Uzumaki¹, Yoko Ono¹, Shigeo Ogawa¹, Yoshitaka Taniyasu², Kazuhide Kumakura², Takeshi Komatsu¹ (1.NTT Sende Lab., 2.NTT Bussei Lab.)

Keywords:photocatalyst,GaN

n型窒化ガリウム(n-GaN)薄膜上に金属を接合することで、同一基板上に酸化・還元反応場を形成した光触媒薄膜を作製した。2種類の金属/n-GaN接合を形成し、その電気的特性と光触媒薄膜による水素生成量との相関を調査した。