[22a-W541-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22a-W541-10] 酸化・還元反応場を同一基板上に形成した金属/GaN光触媒薄膜

〇渦巻 裕也¹、小野 陽子¹、小川 重男¹、谷保 芳孝²、熊倉 一英²、小松 武志¹ (1.NTT先デ研、2.NTT物性研)

キーワード：光触媒、窒化ガリウム

n型窒化ガリウム(n-GaN)薄膜上に金属を接合することで、同一基板上に酸化・還元反応場を形成した光触媒薄膜を作製した。2種類の金属/n-GaN接合を形成し、その電気的特性と光触媒薄膜による水素生成量との相関を調査した。