[22a-W541-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [22a-W541-2] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果のメカニズム解明

〇武井 優典¹、下田 智裕¹、高橋 昌靖¹、筒井 一生¹、齋藤 渉²、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹ (1.東工大、2.東芝セミコンダクター＆ストレージ社)

キーワード：AlGaN、凹凸構造、オーミックコンタクト