[22a-W541-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22a-W541-4] 低欠陥密度GaN基板の熱酸化過程の評価

〇山田 高寛¹、伊藤 丈予¹、淺原 亮平¹、渡邉 健太¹、野崎 幹人¹、中澤 敏志²、按田 義治²、石田 昌宏²、上田 哲三²、吉越 章隆³、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.パナソニック、3.原子力機構)

キーワード：GaN、熱酸化