[22a-W611-1~14] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[22a-W611-1] ハイブリッド対向スパッタによるITO透明導電膜作製-可動棒磁石移動距離依存性-

〇諸橋 信一¹、辻田 圭佑¹、谷本 司¹、原田 直幸¹、村田 卓也¹ (1.山口大工)

キーワード：ハイブリッド対向スパッタ、ITO 薄膜

低ダメージ・高速堆積を特徴とするハイブリッド対向スパッタによるITO薄膜のAs-depo成膜について調べてきた。今回、可動棒磁石移動距離とその時の放電電圧、及び堆積速度の関係について実験を行い，ITO(In₂O₃:SnO₂= 90:10 wt.%, 純度3N)ターゲット使用において、無アルカリガラス基板上As-depo成膜で電気抵抗率4.2x10^-4Ωcm (膜厚100 nm)が得られたので報告する。