[22a-W611-1~14] 8.3 Deposition of thin film and surface treatment

△ [22a-W611-5] Growth of InN by Radical Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition

〇Shinnosuke Takai¹, Yi Lu¹, Kazuki Iwamoto¹, Osamu Oda¹, Keigo Takeda¹, Hiroki Kondo¹, kenji Ishikawa¹, Makoto Sekine¹, Masaru Hori¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:semiconductor,Indium nitelide,metal organic chemical vapor deposition

InNは、高い電子移動度、速い飽和電子速度や0.7 eV程度の狭いバンドギャップを有する重要な材料である。しかし、高温でアンモニアを分解する従来型のMOCVDでは、500℃以上で分解するInNの結晶成長は困難であった。当研究室で開発したラジカル支援MOCVD技術は窒素ガスを原料ガスに使用して、比較的低温でⅢ族窒化物成長が可能であり、InN成膜にも成功した。今回、原料ガスに水素ガスを添加することで成長速度の向上に成功したため報告する。