The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.5 Nanotechnology

[22a-W621-1~11] 8.5 Nanotechnology

Tue. Mar 22, 2016 9:00 AM - 12:00 PM W621 (W6)

Yoshiki Shimizu(AIST)

9:30 AM - 9:45 AM

[22a-W621-3] Hexagonal BN atomic layer formation with plasma chemical transport
– Carrier gas effect 2

Takeshi Kitajima1, Toshiki Nakano1 (1.Nat.Def.Acad.)

Keywords:h-BN,plasma

h-BNはグラフェンと同様に2次元エレクトロニクスを構成する要素としてナノエレクトロニクスでの応用が期待される。プラズマによるh-BN成膜へ向け、Ar-H2混合ガス組成の影響を調べた。H2-Ar混合プラズマによるアンモニアボランの化学輸送の促進がBNの形成量増加に繋がる可能性が示唆された。