2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[22p-H103-1~8] 6.4 薄膜新材料

2016年3月22日(火) 13:00 〜 15:00 H103 (本館)

篠田 健太郎(産総研)

14:45 〜 15:00

[22p-H103-8] 室温において封止スペース内に形成したSiO2 接着層の封止性

歸山 敏之

キーワード:SiO2接着層、ガスバリア、耐腐蝕性

室温において封止スペース内に形成したSiO2 接着層のガスバリア性をHeガスリーク検出機により評価した結果、測定系のブランクガラス小片で測定されるのHeガスリーク量は4×10-12Pa·m3/sで、接着小片で測定されるリーク量との間に有意差は認められなかった。今後、このSiO2接着層のガスバリア性を評価するためには10-14Pa·m3/sレベルのHeガス量の測定技術を検討していく必要がある。このSiO2接着層をペンタフルオロプロピオン酸液に室温で24時間浸漬する試験により、この接着層の良好な耐腐蝕性を確認した。